มอสเฟต

มอสเฟต เป็นทรานซิสเตอร์ที่ใช้อิทธิพลสนามไฟฟ้าในการควบคุมสัญญาณไฟฟ้าโดยใช้ออกไซด์ของโลหะในการทำส่วนเกตนิยมใช้ในวงจรดิจิตอลโดยนำไปสร้างลอจิกเกตเพราะมีขนาดเล็ก

โครงสร้างของ มอสเฟตประกอบด้วย3ส่วน คือ
1.เกต เป็นส่วนที่ทำมาจากออกไซด์ของโลหะโดยสร้างให้เกิดความต่างศักย์ตกคร่อมระหว่างแผ่นสองแผ่นเพื่อสร้างสนามไฟฟ้าเพื่อควบคุมการเข้าออกของสัญญาณไฟฟ้า
2.ซอร์ส เป็นส่วนขาเข้าของสัญญาณ
3.เดรน เป็นส่วนขาออกของสัญญาณ

ประเภทของ มอสเฟต
1.pMOS หรือ p-channel MOS ซึ่งมีการเคลื่อนที่ของประจุบวกหรือโฮลจึงกำหนดให้ส่วนเดรนและซอร์สเป็นสาร กึ่งตัวนำชนิดP(p-type semiconductor)ดังนั้นถ้ากระแสจะเคลื่อนที่ระหว่างเดรนและซอร์สได้นั้นบริเวณ ช่องทางเดินกระแสจะต้องมีสภาพเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดP
2.nMOS หรือ n-channel MOS ซึ่งมีการเคลื่อนที่ของประจุลบหรืออิเลคตรอนจึงกำหนดให้ส่วนเดรนและซอร์สเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดN(n-type semiconductor)ดังนั้นถ้ากระแสอิเลคตรอนจะเคลื่อนที่ระหว่างเดรนและซอร์สได้บริเวณช่องทางเดินกระแสจะตองมีสภาพเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดN

pMOS จะทำงานกลับกับnMOSโดยเมื่อปล่อยความต่างศักย์ต่ำจะเกิดสนามไฟฟ้าในทิศขึ้นอย่างแรงอิเล็กตรอนอิสระในn-typeจะถูกผลักลงมาอยู่ด้านล่างประกอบกับมีโฮลบางส่วนถูกดูดขึ้นไปด้านบนส่งผลให้บริเวณด้านบนมีโฮลมากจนเป็นp-typeได้เรียกว่า แชลแนล สัญญาณไฟฟ้าก็จะไหลผ่านช่วง แชลแนล นี้ซึ่งเป็นp-typeเหมือนกับเดรนและซอร์สได้โดยใช้โฮลเป็นพาหะ
nMOS เมื่อปล่อยความต่างศักย์สูงจะเกิดสนามไฟฟ้าในทิศลงอย่างแรงโฮลในp-typeจะถูกผลักลงมาอยู่ด้านล่างประกอบกับมีอิเล็กตรอนอิสระบางส่วนถูกดูดขึ้นไปด้านบนส่งผลให้บริเวณด้านบนมีอิเล็กตรอนอิสระมากจนเป็นn-typeได้เรียกว่า แชลแนล สัญญาณไฟฟ้าก็จะไหลผ่านช่วง แชลแนล นี้ซึ่งเป็นn-typeเหมือนกับเดรนและซอร์สได้โดยใช้อิเล็กตรอนอิสระเป็นพาหะ